鈮酸鋰薄膜光纖調(diào)制器(TLNM)系列具有驅(qū)動(dòng)半波電壓低至 2.8 V 和寬帶高速(高達(dá) 40GHz)的優(yōu)勢(shì)。與傳統(tǒng)的鈮酸鋰光纖調(diào)制器相比,TLNM 系列具有更有效率、更小、更短的波導(dǎo),薄膜鈮酸鋰使其成為可能。低工作電壓使其能夠更有效地將射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào),并方便使用函數(shù)發(fā)生器作為實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)器。它的偏壓控制部分集成了一個(gè)微米加熱器和一個(gè)用于反饋控制的光電探測(cè)器,以保持恒定的光偏壓點(diǎn)。高速調(diào)制控制通過一個(gè) SMA 連接器實(shí)現(xiàn),而偏置控制則通過引腳實(shí)現(xiàn)。還可提供定制的特殊設(shè)計(jì)。
產(chǎn)地:美國(guó)
工作波長(zhǎng):1520...1567 nm
插入損耗:max.5.5 dB
回波損耗:27...40 dB
光輸入功率:10 dBm
射頻驅(qū)動(dòng)電壓:min.3.3 (1kHz),typ.4 (1GHz) V
50kHz 時(shí)的 Vp:2.8...3 V
3dB 帶寬 S21(2GHz 起):直流max.40 GHz
射頻回波損耗 S11(10MHz 至 40 GHz):max.10 dB
射頻端口電阻(直流):max.50 Ω
射頻輸入功率:max.30 dBm
偏置端口電阻(直流):max.1 MΩ
加熱器偏置電壓:0...4 V
射頻擺動(dòng)電壓
X2:4:-4.46...+4.46 V
X2:5:-891...+891 V
ER 有效值電壓
X2:4:max.3.16 V
X2:5:max.6.30 V
工作溫度:-1...60 °C
存儲(chǔ)溫度:-45...85 °C
雷達(dá)
RoF
實(shí)驗(yàn)室用途
概念驗(yàn)證
儀器