由于波長為 266 nm,該激光器攜帶高光子能量。例如,在熒光中,光子能量對于克服較大的帶隙至關重要。半導體(例如砷化鎵 GaN)尤其如此。通過吸收光子能量,可以使用 UV 或 DUV 輻射彌合甚至較大的帶隙。該激光器還適用于(生物)材料的電離。
我們的脈沖、被動 Q 開關微芯片激光系統由于其多價性而適用于工業(yè)(OEM)和科學研究。我們可以為我們的脈沖激光器生成從 IR 到 DUV 的五種不同波長:
1064 nm
532 nm
355 nm
266 nm
213 nm
獨立系統(包括按鍵開關、散熱器和手動快門;符合 CDRH 標準)
同步信號輸出(上升時間 <2 ns)
外部光束擴展器(M = 5x)
手動快門或電子光束阻斷器
手動或電動波長開關 266 nm / 532 nm
手動或電動衰減器
根據要求提供脈沖能量閉環(huán)操作
產地:德國
波長:266 nm
脈沖能量:> 0.8 μJ @10kHz
峰值功率:> 0.8 kW @10kHz
脈沖重復率:≤ 10 kHz
脈沖寬度 (FWHM):≤ 1.0 ns
偏振方向和純度:> 100:1 垂直
6 小時內脈沖能量漂移:< ± 5 %
脈沖間能量穩(wěn)定性:< 2 % @10kHz
激光等級:4 / IV
空間模式:TEM00
光束發(fā)散度 2Θ:< 2 mrad
光束直徑:800 ± 200 μm
平均功耗:17 W(max. 40 W)
工作電壓:12 V DC
線路電壓:90 – 265 V AC(50 – 60 Hz)
標記:CE
接口:RS 232、USB
外部觸發(fā)器(TTL,上升沿)單次觸發(fā)(按需脈沖)–重復率(max)
TTL 控制和功率監(jiān)控接口
預熱時間:< 5 分鐘
工作溫度:18 – 38 °C
質譜
熒光
光致發(fā)光
脈沖拉曼光譜
標記(玻璃、鏡片)
雕刻